招聘信息

• AI芯片物理与器件工程师 Ⅲ

  12000以上 北京市海淀区 全职 硕士及以上 2人 2025-08-01

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  2025-03-14 15:04:10

  职位描述

  （一）岗位职责

  （1）负责NAND、NOR、DRAM、CrossBar等高密度存储结构的研发与优化；

  （2）独立完成存储器件的仿真和工艺优化；

  （3）支持产线量产，解决工艺问题，推动技术验证与量产导入；

  （4）熟悉上述器件的工作原理及其在存储器中的应用。

  （二）任职要求

  （1）具有2年以上半导体或存储器领域的研发经验，产线量产经验优先；

  （2）熟悉NAND、NOR、DRAM、CrossBar等高密度存储结构的工作原理；

  （3）具备独立完成器件仿真和工艺优化的能力；

  （4）能适应高强度工作，具备团队协作精神；

  （5）优先考虑具有相关工作经验的社招人才，应届毕业生特别优异者酌情考虑。

  职位类别:电子/半导体/仪表仪器

  专业要求:工学

单位简介