招聘信息

• AI芯片物理与器件工程师 Ⅰ

  12000以上 北京市海淀区 全职 硕士及以上 2人 2025-08-01

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  2025-03-14 15:04:10

  职位描述

  
  

  （一）岗位职责

  （1）磁隧道结（MTJ）的薄膜生长、测试及器件研发；

  （2）设计并优化存储器件（如磁隧道结等）的微纳加工工艺，优化良率；

  （3）参与存储器和磁隧道结的电路设计与仿真验证，完成器件电学特性测试与SPICE建模，对接Foundry制定工艺设计套件（PDK）；

  （4）支持产线工艺开发，解决器件制备中的工艺问题。

  （二）任职要求

  （1）微电子学、材料物理相关专业博士优先；

  （2）具有STT或SOT磁隧道结的薄膜和器件的工作或研究经历；

  （3）熟悉存储器和磁隧道结制备的微纳加工工艺或电路设计和仿真；

  （4）具备薄膜生长、光刻、刻蚀、测试等相关经验；

  （5）能接受定期出差，适应高强度研发节奏。

  
  

  职位类别:电子/半导体/仪表仪器

  专业要求:工学

单位简介